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先進封裝技術介紹--高帶寬架構（HBF，High Bandwidth Fabrics）

轉：一，HBF高帶寬架構工藝定義： HBF是High Bandwidth Fabrics的縮寫，直譯為“高帶寬架構”。它是一種由英特爾提出并主導的先進封裝技術和互連標準。其核心目標是在一個封裝內，將多個芯片（如計算芯片、內存、I/O芯片等）通過一個超高帶寬、低功耗、低延遲的片上互連網絡連接起來，形成一個高性能的“超級芯片”。簡單理解：HBF 就像是在一個“微型主板”上，為各個芯片構建了一個超級

2026-02-09 LH 315

什么是MPW

轉1）為什么會有 MPW？做一顆芯片，要去晶圓廠（foundry）把電路“印”到硅片上。這個過程最貴、最關鍵的一樣東西叫光罩（Mask）。光罩像什么？像“印刷用的鋼板/膠片模板”你要在硅片上印幾十層圖案，就要幾十張模板這些模板制作成本非常高，而且是一次性為你的設計定制的所以問題來了：你只是想先做個樣片驗證一下（比如幾十顆、幾百顆），但光罩錢就可能要花一大筆。那對初創公司、學校、研發部門來說太肉疼了

2026-01-19 LH 476

FinFET晶體管的發展歷程與技術原理

轉：逍遙設計自動化晶體管技術的演進是現代工程學中最引人注目的成就之一。在過去幾十年中,半導體行業以非凡的一致性遵循著摩爾定律,大約每兩年將晶體管密度提高一倍。這種進步推動了計算能力的指數級增長,改變了整個世界——從服務少數用戶的大型計算機發展到數十億人手中的智能手機。然而,當晶體管尺寸接近先進技術節點所需的納米級尺寸時,基本物理限制開始威脅進一步的發展。FinFET的出現為這些挑戰提供了優雅的解決

2025-12-15 LH 444

干貨滿滿，詳細解讀下一代HBM架構！

轉：本文將詳細介紹下一代HBM標準，包括HBM4、HBM5、HBM6、HBM7和HBM8，每一代都將提供巨大的進步，以滿足不斷增長的數據中心和AI需求。在韓國科學技術院（KAIST）和Tera（TB互連和封裝實驗室）最近的一份報告中，兩家公司概述了HBM的路線圖，并詳細介紹了對下一代標準的期望。該報告概述了幾個新的和即將推出的HBM標準，如HBM4、HBM5、HBM6、HBM7和HBM8。首先是H

2025-11-13 LH 612

長鑫存儲官宣發布LPDDR5X！速率登頂10667Mbps

轉：據長鑫存儲官方網站信息更新，長鑫存儲已正式推出LPDDR5X產品，最高速率達到10667Mbps。據官網產品信息介紹，“LPDDR5/5X 是第五代超低功耗雙倍速率動態隨機存儲器。通過創新的封裝技術和優化的內存設計，長鑫存儲 LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有顯著提升，目前提供12Gb和16Gb兩種單顆粒容量，最高速率達到10667Mbps ，達到國際主流水平，較上一代LPDDR5提升了6

2025-10-30 LH 504

臨時鍵合和解鍵合工藝技術研究

轉：超薄晶圓的機械強度低，翹曲度高，為解決其支撐和傳輸過程中碎片率高的問題，同時也為提高產品良率及性能，通常采用臨時鍵合和解鍵合的工藝方法。通過介紹臨時鍵合工藝和解鍵合工藝技術，并根據工藝需求提出了臨時鍵合設備和解鍵合設備的結構和原理。隨著半導體技術的發展，對各種元器件功能、性能和集成度的要求也越來越高，TSV互連和三維堆疊型3D集成已經進入了主流半導體制造，以解決“摩爾定律”物理擴展的局限性，同

2025-09-18 LH 438

激光退火工藝在IGBT制造中的應用

激光退火是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)背面工藝的重要步驟。對離子注入后的硅基IGBT 圓片背面進行激光快速退火，實現激活深度，有效修復離子注入破壞的晶格結構。隨著IGBT技術發展和薄片加工工藝研發的需要，IGBT背面退火越來越多應用激光退火技術。01IGBT退火技術在垂直方向上，IGBT結構經歷了穿通型（pouch through，PT），非穿通型（non pouch through，NPT）和

2025-08-15 LH 336

三安、兆馳、華燦等透露AR眼鏡用MicroLED布局進

轉：隨著Meta、蘋果、小米等科技巨頭加速推出AR眼鏡產品，全球消費級AR眼鏡市場進入快速發展的階段，AR眼鏡背后的微顯示產業鏈發展情況也獲得了越來越多的關注。近日，三安光電、兆馳股份、華燦光電、利亞德均在投資者問答平臺上回答了在AR用Micro LED技術的布局最新進展。三安光電：AR用Micro LED邁向小批量驗證階段三安光電透露，AI/AR眼鏡領域，公司的Micro LED產品正與國內外終

2025-07-25 LH 759