光伏IGBT缺貨漲價替代加速，今年國產(chǎn)化率將翻倍增長

國產(chǎn)IGBT廠商經(jīng)過過去一年的測驗和供貨后，低損耗率已經(jīng)能夠達到光伏逆變器大廠的供貨水準。- 士蘭微、斯達半導、新潔能、時代電氣、楊杰科技、聞泰科技等國產(chǎn)IGBT廠商正將成為替代英飛凌等海外廠商的種子選手，2022年國產(chǎn)IGBT替代比例將會空前之高。- 在產(chǎn)能緊缺、交期拉長和國產(chǎn)替代之下，國產(chǎn)IGBT廠商迎來強勁的增長動能，2022年國產(chǎn)IGBT在光伏領域市占率有望從10%左右提升到30%。當

2024-03-27 量伙Z 801

性能相當于蘋果M1芯片？華為另一款新芯片曝光

華為計劃攜帶7顆麒麟芯片全面回歸，包括筆記本電腦處理器和手機芯片。其中一顆PC麒麟芯片被稱為性能相當于蘋果M1芯片的性能。該芯片具有四個泰山大核、四個泰山中核，以及兩個Maleoon910-10ALU大核和兩個微核NPU。支持最大32GB LPDDR5-6400內存。華為還提及了麒麟9006C芯片組，采用5nm制程工藝，擁有八核ARMCPU，最高主頻可達3.13GHz，與之前的麒麟9000芯片相似

2024-03-27 lh 923

1萬伏！豐田GaN新技術明年量產(chǎn)

2月13日，據(jù)日本媒體報道，豐田合成已經(jīng)開發(fā)了一種可以承受10000V或更高電壓的氮化鎵器件，預計2024年將會量產(chǎn)，目標應用包括汽車OBC，甚至是直流微電網(wǎng)。此前報道提到，豐田合成這項氮化鎵技術采用了全新結構——極性超結（PSJ）GaN FET(.鏈接.)。今天，我們來分析一下這項技術是如何實現(xiàn)的，以及它的最新進展。豐田極性超結氮化鎵擊穿電壓高達1萬伏如今市面上基于HEMT結構的橫向GaN功率器

2024-03-26 量伙Z 434

Intel CPU工藝上演奇跡：6個季度內實現(xiàn)量產(chǎn)

在先進工藝上，Intel這兩年被三星、臺積電領先了，但在CEO基辛格的帶領下，Intel目標是2025年重新成為半導體領導者，還定下了4年內掌握5代CPU工藝的宏大目標，如今已經(jīng)是2023年了，距離目標只有2年。這五種工藝是Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A（等效2nm，其中A代表埃米，1nm=10埃米，下同）、18A(等效1.8nm)，其中Intel 7就是當前1

2024-03-26 432

又一家Foundry，確認殺入12吋晶圓代工

晶圓代工成熟制程市況雜音不斷，世界先進、力積電仍積極擴產(chǎn)，世界已向竹科管理局申請進駐苗栗銅鑼，興建旗下首座12吋廠，力積電也向竹科管理局申請承租同一塊地作為未來擴建，形成「雙龍搶珠」局面。業(yè)界人士分析，由于力積電已提出在銅鑼分二期興建月產(chǎn)10萬片新廠總投資額達2,780億元

2024-03-26 363

為打壓中國芯，設立的520億美元美國芯片法案，要黃了

眾所周知，目前全球芯片產(chǎn)能主要集中在亞洲，先進芯片產(chǎn)能主要集中在臺積電、三星兩家企業(yè)手中。而美國在芯片產(chǎn)能上，越來越落后，份額已經(jīng)從1990年的37%下降到如今的12%，低于中國大陸的16%。所以美國推出了一個520億美元的“芯片法案”，其目的是重振芯片制造業(yè)，將全球芯片制

2024-03-26 量伙Z 744

Mini LED迎來大爆發(fā)？上游芯片廠商加速擴大產(chǎn)能

近兩年的顯示行業(yè)，Mini LED的火爆程度大家有目共睹，從平板、到筆記本再到電視，各大行業(yè)頭部品牌紛紛加入了Mini LED陣營。目前主流的Mini LED技術應用主要是用做液晶屏背光，用幾千上萬的LED芯片構成整個背光模組，來提升顯示效果。而Mini LED需求逐漸暴漲，也加速了產(chǎn)業(yè)上游的芯片制造商對Mini LED的布局。近日，據(jù)DIGITIMES報道，專業(yè)LED芯片制造商中國臺 灣晶元光電

2024-03-26 533

DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

2024-03-07 202