DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導(dǎo)體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

12 月 21 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報道，三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導(dǎo)體設(shè)備投資。

三星計劃投資 27 萬億韓元（IT之家備注：當(dāng)前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預(yù)算增加 25%；而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬億韓元（當(dāng)前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長 100%。

報道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導(dǎo)體設(shè)備投資之外，還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標(biāo)。

報道稱三星將 DRAM 和 NAND 閃存的產(chǎn)量提高 24%，而 SK 海力士的目標(biāo)是將 DRAM 產(chǎn)能提高到 2022 年年底水平。

根據(jù)集邦咨詢公布的 2023 年第 3 季度營收數(shù)據(jù)，在市場份額方面，三星在 DRAM 領(lǐng)域占有約 38.9% 的市場份額，而 SK 海力士則為 34.3%。

在 NAND 領(lǐng)域，三星擁有約 31.4% 的市場份額，而 SK 海力士則占 20.2%。

DRAM 和 NAND 市場由于長期供應(yīng)過剩，主要制造商都采取了減產(chǎn)的方式，這種情況直到近期才有所緩解。

在價格反彈的情況下，韓國兩大公司計劃進(jìn)行重大投資，這引發(fā)了人們對存儲器行業(yè)可能面臨新挑戰(zhàn)的擔(dān)憂。

此外，業(yè)界普遍認(rèn)為，未來一些與 AI 相關(guān)的應(yīng)用將需要大容量內(nèi)存支持。例如，明年全球智能手機出貨量預(yù)計將增長 3%，預(yù)計將促進(jìn)高價值內(nèi)存市場需求的擴大。

集邦咨詢也指出，近期有關(guān)內(nèi)存廠商擴大投資、提升產(chǎn)能的消息，主要是受 HBM 市場需求增長的推動，而非所有產(chǎn)品的產(chǎn)能擴張。

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