產地：中國
型號：LH-RTA-C
特點：
整體極小的尺寸1.1mX0.8mX0.6m，可置于桌面上操作。適用于4寸（100mm*100mm）及以下硅晶圓片，化合物等半導體材料進行快速熱處理、退火等。外置WINDOWS 10系統計算機，無須額外學習PLC觸摸操作，即可快速上手，亦方便讀寫數據，全中文軟件實時顯示熱處理工藝曲線、氣體流量、冷卻水流量等各種數據；具有過溫保護功能，溫度超過設定值時系統停止加熱。配置多路氣體通路，可根據實際需求使用，擴展性強。可抽真空。獨有專利的溫度控制系統，可以多溫區實時同步閉環PID控制，能進行±0.5℃的溫控操作，以及更為可靠的重復性操作。雙面加熱方式與單面加熱相比，可以大幅減小圖案加載效應。器件晶片上的熱均勻性將更好。
用途：
快速熱處理（RTP）設備是一種單片熱處理設備，可以將晶圓的溫度快速升至工藝所需溫度（200-1300℃），并且能夠快速降溫，升/降溫度速率約20-250℃。RTP設備還具有其他優良的工藝性能，如極佳的熱預算和更好的表面均勻性，多用于修復離子注入后的損傷。
名詞解釋RTA：Rapid Thermal Annealing 快速熱退火。
名詞解釋RTO：Rapid Thermal Oxidation 快速熱氧化，主要用于生長薄絕緣層。
名詞解釋RTN：Rapid Thermal Nitridation 快速熱氮化。
適用場景：高校實驗室，科研院所實驗平臺，工廠小批量生產等。
設備規格：
1.適應于 最大4英寸 晶圓或者支持 (100mmx100mm)樣品（選配支架或者托盤）；
2.退火溫度范圍 300℃-1000℃（常規硅基材料溫度適用于850℃，第三代半導體材料最大可到1350℃）；
3.升溫速率 ≦150℃/秒（升溫速度隨不同的材料及裝置會有差異，標準數據是裸片放置內測量后得出，150攝氏度每秒是常規溫度速率，加熱設備的極限會更高）；
4.溫度均勻性 ≦±1%(>500 ℃)（在500攝氏度以上時，通過TC-WAFER測量實驗材料的數據，均勻度一般都是保持在0.1%-1%之間）；
5.常壓腔體（可以配置真空腔體，獨有的設計，能實現真空定壓，配置分子泵后能達到更嚴格的真空度）；
6.冷卻方式包括水冷和氮氣吹掃（循環常溫水冷卻，軟件可視化監控管理，防止外壁過熱，內置氮氣管路，吹掃腔體，保持清潔，極速降溫）；
7.MFC控制，1-4路制程氣體。（品牌MFC控制器，內置多路氣氛管路，可定制開通，滿足各類測試工藝需求）。
應用領域:
快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)；
離子注入/接觸退火；
金屬合金；
熱氧化處理；
化合物合金（砷化鎵、氮化物等）；
多晶硅退火；
太陽能電池片退火；
高溫退火；
高溫擴散。
